10月9日，中国电子材料行业协会官网发函，《晶体生长用高纯碳化硅粉体》团体标准已通过专家立项评审，予以公示，并公开征集标准制修订工作参与单位。

SiC粉体是PVT法生长SiC单晶的原料，其纯度会直接影响SiC单晶的杂质含量，从而影响SiC单晶的电学性质，其中生长高质量的半绝缘SiC单晶更是直接受限于SiC粉体中N元素的含量。碳化硅长晶过程中用到的原料碳化硅粉体的各项指标，直接影响碳化硅晶体的质量。各厂家长晶工艺不同，除了对碳化硅粉体纯度有要求之外，粒径和晶型对晶体生长的影响很大，需要高纯SiC粉体形状、粒度、粒径分布等参数的有效控制。由于各家工艺路线的差异，不同企业对物理化学指标的要求存在不确定性，上述等等原因造成的原料质量不稳定，非常不利于下游晶体行业的快速发展。

对此，2024年9月27日中国电子材料行业协会粉体技术分会组织召开了《晶体用高纯碳化硅粉体》团体标准立项评审会。计划通过团体标准的规范，给晶体用碳化硅粉体企业指明方向，解决下游晶体厂家所需高纯碳化硅粉体产晶质量的稳定性问题，更好地配合行业客户的需求，促进产业的健康发展，进而提升高纯碳化硅粉体行业整体技术及质量标准水平。